三星最新32Gbps GDDR7将进一步强化人工智能、星推下代显存性高性能计算和汽车等的首款释放应用能力

与上一代24Gbps GDDR6 相比，GDDR7性能提升1.4倍，潜力能效提高20%

深圳2023年7月19日 /美通社/ -- 今日，星推下代显存性三星电子宣布已完成其业内首款GDDR7的首款释放研发工作。年内将首先搭载于主要客户的潜力下一代系统上验证，从而带动未来显卡市场的星推下代显存性增长，并进一步巩固三星电子在该领域的首款释放技术地位。

三星GDDR7显存

继2022年三星开发出速度为每秒24千兆比特(Gbps)的GDDR6 16Gb之后，GDDR7 16Gb产品将提供目前为止三星显存的星推下代显存性最高速度32Gbps。同时，首款释放集成电路（IC）设计和封装技术的潜力创新提升了高速运行下的性能稳定性。

三星电子存储器产品企划团队执行副总裁Yongcheol Bae表示："三星的星推下代显存性GDDR7 产品将有助于提升需要高性能显存的用户体验，例如工作站、首款释放个人电脑和游戏机等，潜力并有望扩展到人工智能、高性能计算和汽车等领域。新一代显存将根据需求推向市场，我们希望继续保持在该领域的前沿技术能力。"

三星GDDR7显存

值得一提的是，三星GDDR7可达到出色的每秒1.5太字节（TBps）的带宽，是GDDR6 1.1TBps的1.4倍，并且每个数据I/O（输入/输出）口速率可达32Gbps。该产品采用脉幅调制（PAM3）信号方式，取代前几代产品的不归零（NRZ）信号方式，从而实现性能大幅提升。在相同信号周期内，PAM3信号方式可比NRZ信号方式多传输50%的数据。

另外，GDDR7的设计采用了适合高速运行的节能技术，相比GDDR6能效提高了20%。针对笔记本电脑等注重功耗的设备，三星提供了一个低工作电压的选项。

为最大限度地减少显存芯片发热，除集成电路（IC）架构优化外，三星还在封装材料中使用具有高导热性的环氧成型化合物（EMC）材料。与GDDR6相比，这些改进不仅显著降低70%的热阻，还帮助GDDR7在高速运行的情况下，也能实现稳定的性能表现。

免责声明：

除非经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。